Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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2N6488

2N6488
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2N6488. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 5 MHz. Função: Aplicações de amplificadores e comutação. Ganho máximo de hFE: 150. Ganho mínimo de hFE: 20. Corrente do coletor: 15A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+165°C. Vcbo: 90V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.3V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 3.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2N6491. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 14:25.

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BD911

BD911

Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: Potência Linear e Comutação. Ganho máximo ...
BD911
Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: Potência Linear e Comutação. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 40. Corrente do coletor: 15A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 90W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Vebo: 5V. Resistor B: transistor de potência NPN . Resistor BE: 100V. C (pol.): 15A. Custo): 90W. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) BD912. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
BD911
Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: Potência Linear e Comutação. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 40. Corrente do coletor: 15A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 90W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Vebo: 5V. Resistor B: transistor de potência NPN . Resistor BE: 100V. C (pol.): 15A. Custo): 90W. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) BD912. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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2N6488-HTC

2N6488-HTC

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 5 MHz. Corrente do coletor: 15A. Pd (d...
2N6488-HTC
Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 5 MHz. Corrente do coletor: 15A. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 90V. Spec info: transistor complementar (par) 2N6491
2N6488-HTC
Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 5 MHz. Corrente do coletor: 15A. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 90V. Spec info: transistor complementar (par) 2N6491
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