Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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2N6491

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2N6491. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 5 MHz. Ganho máximo de hFE: 150. Ganho mínimo de hFE: 20. Corrente do coletor: 15A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 90V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2N6488. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 14:25.

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BD912-ST

BD912-ST

Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF/L. Corrente do coletor: 15A. Pd (dissipaç...
BD912-ST
Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF/L. Corrente do coletor: 15A. Pd (dissipação de energia, máx.): 90W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-225. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) BD911. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32)
BD912-ST
Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF/L. Corrente do coletor: 15A. Pd (dissipação de energia, máx.): 90W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-225. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) BD911. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32)
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