Transistores

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 60 MHz. Função: Io-sat. Corrente do coletor: 5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Spec info: transistor complementar (par) 2SC3299

Custo): 30pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 120 MHz. Ganho máximo de hFE: 240. Ganho mínimo de hFE: 120. Corrente do coletor: 1A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo Epitaxial (Processo PCT) . Carcaça: TO-126F. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126F (2-8A1H). Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SC3421Y. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 2.5pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 240. Ganho mínimo de hFE: 80. Corrente do coletor: 0.05A. Pd (dissipação de energia, máx.): 5W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): 2-8H1A. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 150V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SC3423 . Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

C (pol.): 1.7pF. Custo): 2.6pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Ganho máximo de hFE: 320. Ganho mínimo de hFE: 40. Corrente do coletor: 100mA. Ic(pulso): 200mA. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 200V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.6V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 200V. Vebo: 5V. Função: vídeo. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 3.1pF. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Função: Amplificador de tensão de áudio, definição CRT, saída de vídeo. Ganho máximo de hFE: 200. Ganho mínimo de hFE: 100. Corrente do coletor: 0.1A. Ic(pulso): 0.2A. Marcação na caixa: A1381-E. Pd (dissipação de energia, máx.): 7W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de Silício Epitaxial . Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 300V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.6V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SC3503. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 500pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 40 MHz. Corrente do coletor: 15A. Marcação na caixa: A1386A. Pd (dissipação de energia, máx.): 130W. Peso: 6g. Carcaça: TO-3P ( TO3P ). Habitação (conforme ficha técnica): MT-100(TO3P). Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 180V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 180V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SC3519A. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V/50V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 200mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.4W

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 50V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.4W

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 50V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.4W

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 50V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.4W

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 50V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.4W

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 170 MHz. Função: uso geral. Corrente do coletor: 5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 35V

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30V/25V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 300mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.6W

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Corrente do coletor: 15A. Marcação na caixa: A1492. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 130W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 180V. Spec info: transistor complementar (par) 2SC3856

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Corrente do coletor: 17A. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 200V. Spec info: transistor complementar (par) 2SC3858

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 400 MHz. Função: Hi-def, Cre=2.2pF. Corrente do coletor: 0.2A. Pd (dissipação de energia, máx.): 8W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-126F. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126F. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Spec info: transistor complementar (par) 2SC3953

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: NF/S. Corrente do coletor: 0.5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.75W. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Spec info: TO-92M (hauteur 9mm)

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: NF-S. Corrente do coletor: 2A. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Função: TV-NF-L. Corrente do coletor: 2A. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Spec info: transistor complementar (par) 2SC4381

Custo): 60pF. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Função: Transistor PNP de alta tensão para aplicações de áudio e de uso geral.. Ganho mínimo de hFE: 60. Corrente do coletor: 2A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): FM20 (TO220F). Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 200V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 200V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementar (par) 2SC4382. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Função: NF-L. Ganho mínimo de hFE: 50. Corrente do coletor: 6A. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Spec info: transistor complementar (par) 2SC4466

Custo): 36pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Função: NF, lo-sat. Ganho máximo de hFE: 270. Ganho mínimo de hFE: 120. Corrente do coletor: 2A. Ic(pulso): 5A. Marcação na caixa: AG*. Equivalentes: LG 0TRRH80034A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-89 ( MTP3 ). Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.15V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementar (par) 2SC4672. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 30pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 70 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 320. Ganho mínimo de hFE: 100. Corrente do coletor: 1A. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): 2-10R1A. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 230V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 230V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SC4793. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 320pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: Amplificador de potência HI-FI. Ganho máximo de hFE: 160. Ganho mínimo de hFE: 80. Corrente do coletor: 10A. Marcação na caixa: A1941. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): 2-16C1A. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 140V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.8V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 140V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SC5198. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 360pF. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30MHz. Função: Amplificador de potência HI-FI. Ganho máximo de hFE: 160. Ganho mínimo de hFE: 80. Corrente do coletor: 15A. Marcação na caixa: A1943 (O). Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Triplo Difuso . Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264 ( 2-21F1A ). Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 230V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 230V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SC5200. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS