2SA1358Y

2SA1358Y. Custo): 30pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 120 MHz. Ganho máximo de hFE: 240. Ganho mínimo de hFE: 120. Corrente do coletor: 1A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo Epitaxial (Processo PCT) . Carcaça: TO-126F. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126F (2-8A1H). Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SC3421Y. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 19:25.