Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

2SA1667

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2SA1667. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Função: TV-NF-L. Corrente do coletor: 2A. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Spec info: transistor complementar (par) 2SC4381. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 19:25.

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Custo): 60pF. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Função: Transistor PNP de alta tensão para aplicações de áudio e de uso geral.. Ganho mínimo de hFE: 60. Corrente do coletor: 2A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): FM20 (TO220F). Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 200V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 200V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementar (par) 2SC4382. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
2SA1668
Custo): 60pF. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Função: Transistor PNP de alta tensão para aplicações de áudio e de uso geral.. Ganho mínimo de hFE: 60. Corrente do coletor: 2A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): FM20 (TO220F). Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 200V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 200V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementar (par) 2SC4382. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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