2SA1015Y

2SA1015Y. Custo): 4pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 80 MHz. Função: hFE.120-240. Ganho máximo de hFE: 240. Ganho mínimo de hFE: 120. Corrente do coletor: 0.15A. Marcação na caixa: 1015 Y. Número de terminais: 3. Temperatura: +125°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.4W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo Epitaxial (Processo PCT) . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -...+125°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SC1815Y. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 14:25.