Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

2N7000

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Conjunto de 5

2N7000. C (pol.): 60pF. Custo): 25pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 0.5A. DI (T=25°C): 0.2A. Idss (máx.): 1000uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 2n7000. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.35W. On-resistência Rds On: 5 Ohms. Peso: 0.18g. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 10 ns. Td(ligado): 10 ns. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): O-92Ammo-Pack. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 0.8V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 14:25.

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2N7000-ONS

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C (pol.): 60pF. Custo): 25pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET....
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C (pol.): 60pF. Custo): 25pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 0.5A. DI (T=25°C): 0.2A. Idss (máx.): 1000uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 2n7000. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.35W. On-resistência Rds On: 5 Ohms. Peso: 0.18g. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 10 ns. Td(ligado): 10 ns. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 0.8V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS
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C (pol.): 60pF. Custo): 25pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 0.5A. DI (T=25°C): 0.2A. Idss (máx.): 1000uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 2n7000. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.35W. On-resistência Rds On: 5 Ohms. Peso: 0.18g. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 10 ns. Td(ligado): 10 ns. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 0.8V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS
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