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2N6080

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2N6080. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 175 MHz. Função: VHF-O Tr. Corrente do coletor: 5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 12W. Habitação (conforme ficha técnica): M135. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 36V. Spec info: SD1012. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 13:25.

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