2N5886

2N5886. Custo): 500pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Ganho máximo de hFE: 100. Ganho mínimo de hFE: 20. Corrente do coletor: 25A. Ic(pulso): 50A. Número de terminais: 2. Temperatura: +200°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.8us. Tf(min): 0.8us. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2N5884. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 13:25.