Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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2SA1142. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 180 MHz. Corrente do coletor: 0.1A. Pd (dissipação de energia, máx.): 8W. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 180V. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 15:25.

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Custo): 3.1pF. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Função: Amplificador de tensão de áudio, definição CRT, saída de vídeo. Ganho máximo de hFE: 200. Ganho mínimo de hFE: 100. Corrente do coletor: 0.1A. Ic(pulso): 0.2A. Marcação na caixa: A1381-E. Pd (dissipação de energia, máx.): 7W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de Silício Epitaxial . Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 300V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.6V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SC3503. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Material semicondutor: silício. FT: 60 MHz. Corrente do coletor: 0.03A. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) BF471. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32)
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Material semicondutor: silício. FT: 60 MHz. Corrente do coletor: 0.03A. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) BF471. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32)
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