Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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BD902. Transistor Darlington?: sim. Material semicondutor: silício. FT: 1 MHz. Função: NF-L. Corrente do coletor: 8A. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Nota: >750. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) BD901. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 19:25.

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Transistor Darlington?: sim. Material semicondutor: silício. Ganho máximo de hFE: 20000. Ganho mínimo de hFE: 1000. Corrente do coletor: 8A. Ic(pulso): 15A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Darlington. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Nota: 10k Ohms (R1), 600 Ohms (R2). Função: comutação, amplificador de áudio. Spec info: transistor complementar (par) TIP102. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Resistor B: 10k Ohms. Resistor BE: 150 Ohms. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 2. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Ganho máximo de hFE: 750. Ganho mínimo de hFE: 100. Corrente do coletor: 10A. Ic(pulso): 15A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 2.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. C (pol.): sim. Custo): -100V. Número de terminais: 3. Função: 10k Ohms (R1), 150 Ohms (R2). Spec info: transistor complementar (par) BDX33C. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim
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