2SB1123T

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2SB1123T. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 200. Corrente do coletor: 2A. Nota: serigrafia/código SMD BF. Marcação na caixa: BF. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-89. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-89. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Função: Potência média, solenóide, drivers de relé e atuador e módulos DC/DC. Spec info: transistor complementar (par) 2SD1623T. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 19:25.

Documentação técnica

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