Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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2SB1123S

2SB1123S
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2SB1123S. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Ganho máximo de hFE: 280. Ganho mínimo de hFE: 140. Corrente do coletor: 2A. Nota: serigrafia/código SMD BF. Marcação na caixa: BF. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-89. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-89. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Função: Comutação de alta corrente, tensão de baixa saturação . Spec info: transistor complementar (par) 2SD1623S. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 00:25.

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Custo): 36pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Função: NF, lo-sat. Ganho máximo de hFE: 270. Ganho mínimo de hFE: 120. Corrente do coletor: 2A. Ic(pulso): 5A. Marcação na caixa: AG*. Equivalentes: LG 0TRRH80034A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-89 ( MTP3 ). Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.15V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementar (par) 2SC4672. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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