Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 2.26€ | 2.78€ |
5 - 9 | 2.14€ | 2.63€ |
10 - 24 | 2.03€ | 2.50€ |
25 - 41 | 1.92€ | 2.36€ |
Quantidade | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.26€ | 2.78€ |
5 - 9 | 2.14€ | 2.63€ |
10 - 24 | 2.03€ | 2.50€ |
25 - 41 | 1.92€ | 2.36€ |
2SB688. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Ganho máximo de hFE: 160. Ganho mínimo de hFE: 55. Corrente do coletor: 8A. Marcação na caixa: B668. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 2.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SD718. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 02:25.
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