2SB642
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2SB642. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 80 MHz. Função: uso geral. Corrente do coletor: 0.1A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.4W. Carcaça: SC-71. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 02:25.
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RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC556B. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 65V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Frequência de corte ft [MHz]: 150 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP . Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BC546B
RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC556B. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 65V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Frequência de corte ft [MHz]: 150 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP . Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BC546B
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