2SB709

2SB709. Custo): 2.7pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 80 MHz. Ganho máximo de hFE: 460. Ganho mínimo de hFE: 160. Corrente do coletor: 0.1A. Ic(pulso): 0.2A. Marcação na caixa: AQ. RoHS: NINCS. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): MINI MOLD. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 25V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 25V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SD601. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 03:25.