Transistores

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 300mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.6W

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 300mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.6W

Material semicondutor: silício. FT: 550 MHz. Corrente do coletor: 0.1A. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 35V. Quantidade por caixa: 1

Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Função: S-L. Ganho mínimo de hFE: 30. Corrente do coletor: 2A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 1us. Tf(min): 1us. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Vebo: 6V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1

Material semicondutor: silício. FT: 175 MHz. Ganho máximo de hFE: 180. Ganho mínimo de hFE: 10. Corrente do coletor: 0.3A. Temperatura: +135°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.6W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Epytaxial Planar Type. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 17V. Vebo: 4 v. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Amplificadores RF na banda VHF

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 40V/25V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 50mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: D18/C. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 40V/32V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 700mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.75W

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: E-33. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 40V/25V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 50mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W

Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Corrente do coletor: 1.5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) 2SA940. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Material semicondutor: silício. FT: 27 MHz. Corrente do coletor: 4A. Pd (dissipação de energia, máx.): 6W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 75V. Quantidade por caixa: 1

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30V/20V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 30mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W

Material semicondutor: silício. FT: 120MHz. Ganho máximo de hFE: 320. Ganho mínimo de hFE: 100. Corrente do coletor: 1.5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 900mW. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Vebo: 5V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) 2SA966. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Corrente do coletor: 1.5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) 2SA968

Custo): 3pF. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: Baixo ruído, amplificador de áudio. Ganho máximo de hFE: 700. Ganho mínimo de hFE: 350. Corrente do coletor: 0.1A. Marcação na caixa: C2240BL. Temperatura: +125°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo Epitaxial (Processo PCT) . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+125°C. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) 2SA970BL. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 3pF. Transistor Darlington?: NINCS. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 200. Corrente do coletor: 0.1A. Marcação na caixa: C224GR. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo Epitaxial (Processo PCT) . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+125°C. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) 2SA970GR. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V/50V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.6W

Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Ganho máximo de hFE: 320. Ganho mínimo de hFE: 35. Corrente do coletor: 1.5A. Ic(pulso): 3A. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Material semicondutor: silício. FT: 80 MHz. Função: VID-L. Corrente do coletor: 0.1A. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Quantidade por caixa: 1

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-236. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30V/20V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 30mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.2W

Custo): 30pF. Material semicondutor: silício. FT: 100MHz. Ganho máximo de hFE: 200. Ganho mínimo de hFE: 60. Corrente do coletor: 1.5A. Ic(pulso): 3A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 180V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Vebo: 6V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Comutação de alta tensão, amplificador de potência AF. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1011. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30V/20V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 30mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 120V/100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 50mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W

Custo): 20pF. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Função: CTV-NF/VA. Ganho máximo de hFE: 320. Ganho mínimo de hFE: 160. Corrente do coletor: 1A. Marcação na caixa: C2383 Y. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.9W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Vebo: 6V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1013. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Material semicondutor: silício. FT: 180 MHz. Ganho máximo de hFE: 390. Ganho mínimo de hFE: 180. Corrente do coletor: 0.15A. Marcação na caixa: BQ. Temperatura: +155°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 200mW. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 400mV. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Nota: serigrafia/código SMD BQ. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1037. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: P22/U. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30V/20V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 50mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.2W