Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

2SC2023

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2SC2023. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Função: S-L. Ganho mínimo de hFE: 30. Corrente do coletor: 2A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 1us. Tf(min): 1us. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Vebo: 6V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 05:25.

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Material semicondutor: silício. FT: 6 MHz. Função: TV-HA. Ganho máximo de hFE: 20. Ganho mínimo de hFE: 12:1. Corrente do coletor: 7A. Ic(pulso): 15A. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 400V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 200V. Vebo: 6V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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