Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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2SC2412

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2SC2412. Material semicondutor: silício. FT: 180 MHz. Ganho máximo de hFE: 390. Ganho mínimo de hFE: 180. Corrente do coletor: 0.15A. Marcação na caixa: BQ. Temperatura: +155°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 200mW. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 400mV. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Nota: serigrafia/código SMD BQ. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1037. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 06:25.

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Material semicondutor: silício. FT: 300 MHz. Função: uso geral. Corrente do coletor: 0.1A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.33W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: serigrafia/código SMD 1F
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