Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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2SC3886A. Material semicondutor: silício. Corrente do coletor: 8A. Marcação na caixa: C3886A. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: MONITOR. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 15:25.

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Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 1.7 MHz. Função: High Switching, Horizontal Deflection out. Ganho máximo de hFE: 35. Ganho mínimo de hFE: 4.3. Corrente do coletor: 8A. Ic(pulso): 16A. Marcação na caixa: C5386. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo MESA Tripla Difusão . Tf(máx.): 0.3us. Tf(min): 0.15us. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Vebo: 5V. Spec info: MONITOR Hi-res. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
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Material semicondutor: silício. FT: 64kHz. Ganho máximo de hFE: 10. Ganho mínimo de hFE: 5. Corrente do coletor: 10A. Ic(pulso): 25A. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de potência de silício. Tf(máx.): 0.25us. Tf(min): 0.12us. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-399. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Vebo: 13.5V. Número de terminais: 3. Função: Monitor TV-HA, hi-res, Visol--2500V. Quantidade por caixa: 1. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Material semicondutor: silício. Ganho máximo de hFE: 10. Ganho mínimo de hFE: 5. Corrente do coletor: 10A. Ic(pulso): 20A. Marcação na caixa: J6810A. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf (tipo): 0.2us. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1550V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 750V. Vebo: 6V. Quantidade por caixa: 1. Função: Comutação de alta velocidade . Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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