Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 600V - 2SC5386

Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 600V - 2SC5386
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Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 600V - 2SC5386. Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 600V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 1.7 MHz. Função: High Switching, Horizontal Deflection out. Ganho máximo de hFE: 35. Ganho mínimo de hFE: 4.3. Ic(pulso): 16A. Marcação na caixa: C5386. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Spec info: MONITOR Hi-res. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo MESA Tripla Difusão . Tf(máx.): 0.3us. Tf(min): 0.15us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante Toshiba. Quantidade em estoque atualizada em 09/06/2025, 06:25.

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2SC5387

2SC5387

Transistor NPN, 10A, 600V. Corrente do coletor: 10A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Quantida...
2SC5387
Transistor NPN, 10A, 600V. Corrente do coletor: 10A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: VCE(sat) 3V max. Nota: Tipo MESA Tripla Difusão . Spec info: MONITOR, Hi-res (F). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V
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Transistor NPN, 10A, 600V. Corrente do coletor: 10A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: VCE(sat) 3V max. Nota: Tipo MESA Tripla Difusão . Spec info: MONITOR, Hi-res (F). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V
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KSC5386TU

Transistor NPN, 7A, TO-3PF (SOT399), TO-3PF, 800V. Corrente do coletor: 7A. Carcaça: TO-3PF (SOT399...
KSC5386TU
Transistor NPN, 7A, TO-3PF (SOT399), TO-3PF, 800V. Corrente do coletor: 7A. Carcaça: TO-3PF (SOT399). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. BE diodo: NINCS. Resistor BE: 10. Diodo CE: sim. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: High Switching 0.1us. Ganho máximo de hFE: 22. Ganho mínimo de hFE: 8:1. Ic(pulso): 16A. Marcação na caixa: C5386. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Spec info: VEBO 6V. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de silício planar triplo difuso . Tf(máx.): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 4.2V. Vebo: 6V
KSC5386TU
Transistor NPN, 7A, TO-3PF (SOT399), TO-3PF, 800V. Corrente do coletor: 7A. Carcaça: TO-3PF (SOT399). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. BE diodo: NINCS. Resistor BE: 10. Diodo CE: sim. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: High Switching 0.1us. Ganho máximo de hFE: 22. Ganho mínimo de hFE: 8:1. Ic(pulso): 16A. Marcação na caixa: C5386. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Spec info: VEBO 6V. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de silício planar triplo difuso . Tf(máx.): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 4.2V. Vebo: 6V
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