Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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2SC5386

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2SC5386. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 1.7 MHz. Função: High Switching, Horizontal Deflection out. Ganho máximo de hFE: 35. Ganho mínimo de hFE: 4.3. Corrente do coletor: 8A. Ic(pulso): 16A. Marcação na caixa: C5386. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo MESA Tripla Difusão . Tf(máx.): 0.3us. Tf(min): 0.15us. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Vebo: 5V. Spec info: MONITOR Hi-res. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 20:25.

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2SC5387

2SC5387

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: VCE(sat) 3V max. Corrente do col...
2SC5387
Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: VCE(sat) 3V max. Corrente do coletor: 10A. Nota: Tipo MESA Tripla Difusão . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Spec info: MONITOR, Hi-res (F)
2SC5387
Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: VCE(sat) 3V max. Corrente do coletor: 10A. Nota: Tipo MESA Tripla Difusão . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Spec info: MONITOR, Hi-res (F)
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KSC5386TU

KSC5386TU

Resistor BE: 10. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Quantidade por ...
KSC5386TU
Resistor BE: 10. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: High Switching 0.1us. Ganho máximo de hFE: 22. Ganho mínimo de hFE: 8:1. Corrente do coletor: 7A. Ic(pulso): 16A. Marcação na caixa: C5386. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de silício planar triplo difuso . Tf(máx.): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 4.2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Vebo: 6V. Spec info: VEBO 6V. Carcaça: TO-3PF (SOT399). BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim
KSC5386TU
Resistor BE: 10. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: High Switching 0.1us. Ganho máximo de hFE: 22. Ganho mínimo de hFE: 8:1. Corrente do coletor: 7A. Ic(pulso): 16A. Marcação na caixa: C5386. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de silício planar triplo difuso . Tf(máx.): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 4.2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Vebo: 6V. Spec info: VEBO 6V. Carcaça: TO-3PF (SOT399). BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim
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