Transistores

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 330 MHz. Função: conversor DC-DC, fonte de alimentação TFT . Ganho máximo de hFE: 560. Ganho mínimo de hFE: 200. Corrente do coletor: 8A. Ic(pulso): 11A. Marcação na caixa: C5707T. Número de terminais: 2. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 15W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Transistor de Silício Planar Epitaxial . Tf(máx.): 25 ns. Tf(min): 25 ns. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.11V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementar (par) 2SA2040FA

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Corrente do coletor: 21A. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Spec info: Icp 10A/64kHz, 8A/100kHz. Nota: Vce(sat) 3Vmax

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Ultrahigh-Definition CRT Display Horizontal Def.Ou. Corrente do coletor: 20A. Nota: hFE 4...7 (Vce sat 3V, Vbe sat 1.5V). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1600V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Spec info: Transistor de silício planar triplo difuso

Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Corrente do coletor: 12A. Ic(pulso): 24A. Marcação na caixa: C5803. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.3us. Tf(min): 0.1us. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 2 MHz. Função: Para deflexão horizontal de alta resolução, HD TV. Ganho máximo de hFE: 60. Ganho mínimo de hFE: 5. Corrente do coletor: 22A. Ic(pulso): 44A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo MESA Tripla Difusão . Tf(máx.): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): 2-21F2A. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 750V. Vebo: 5V

Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 2 MHz. Função: Para deflexão horizontal de alta resolução, HD TV. Ganho máximo de hFE: 55. Ganho mínimo de hFE: 4.5. Corrente do coletor: 23A. Ic(pulso): 46A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 210W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo MESA Tripla Difusão . Tf(máx.): 0.15us. Tf(min): 0.1us. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): 2-21F2A. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 750V. Vebo: 5V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: CRT-HA (F). Corrente do coletor: 6A. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1500V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: Ultrahigh-Definition CRT Display, High-speed.. Ganho máximo de hFE: 15. Ganho mínimo de hFE: 4. Corrente do coletor: 20A. Ic(pulso): 40A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.2us. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PMLH. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Vebo: 5V. Spec info: Horizontal Deflection Output Applications. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Custo): 85pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 195 MHz. Ganho máximo de hFE: 560. Ganho mínimo de hFE: 200. Corrente do coletor: 15A. Ic(pulso): 20A. Marcação na caixa: C6082. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 23W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F-3SG. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Vebo: 6V. Função: Drivers de relé, drivers de lâmpadas, drivers de motor. Spec info: transistor complementar (par) 2SA2210. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 50V/30V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 200mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30V/25V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 50mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 600 MHz. Corrente do coletor: 0.03A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.12W. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 15V

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: A21/B. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 40V/30V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 50mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.1W

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30V/25V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 30mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.2W

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30V/25V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 50mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.2W

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30V/25V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.2W

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-98. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 35V/30V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.3W

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-98. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 35V/30V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.3W

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 25V/12V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 20mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.15W

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 25V/12V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 20mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.1W

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-39. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 50V/30V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.68W

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-98. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 40V/30V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 20mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.1W

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-98. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 40V/30V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 20mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.1W

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Ganho máximo de hFE: 232. Ganho mínimo de hFE: 50. Corrente do coletor: 0.2A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.4W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+125°C. Vcbo: 45V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.15V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Vebo: 5V. Diodo CE: sim

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2SC829. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30V/20V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 30mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W