Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Transistor NPN, 12A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A) - 2SC5803

Transistor NPN, 12A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A) - 2SC5803
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Transistor NPN, 12A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A) - 2SC5803. Transistor NPN, 12A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente do coletor: 12A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Ic(pulso): 24A. Marcação na caixa: C5803. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.3us. Tf(min): 0.1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Quantidade em estoque atualizada em 21/04/2025, 02:25.

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Transistor NPN, 12A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente do coletor: 12A. Habitação (...
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Transistor NPN, 12A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente do coletor: 12A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: CRT-HA (F). Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 15. Ic(pulso): 24A. Marcação na caixa: C5803. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.3us. Tf(min): 0.1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Spec info: For C-Monitor (85KHz). BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Transistor NPN, 12A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente do coletor: 12A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: CRT-HA (F). Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 15. Ic(pulso): 24A. Marcação na caixa: C5803. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.3us. Tf(min): 0.1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Spec info: For C-Monitor (85KHz). BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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