Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

2SC5717

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2SC5717. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Corrente do coletor: 21A. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Spec info: Icp 10A/64kHz, 8A/100kHz. Nota: Vce(sat) 3Vmax. Quantidade em estoque atualizada em 14/01/2025, 13:25.

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Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: Ultrahigh-Definition CRT Display. Ganho máximo de hFE: 30. Ganho mínimo de hFE: 4. Corrente do coletor: 15A. Ic(pulso): 35A. Marcação na caixa: C5302. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de silício planar triplo difuso . Tf(máx.): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PML. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Vebo: 6V. Spec info: velocidade rápida (tf = 100ns tipo). Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
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Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: Ultrahigh-Definition CRT Display. Ganho máximo de hFE: 30. Ganho mínimo de hFE: 4. Corrente do coletor: 15A. Ic(pulso): 35A. Marcação na caixa: C5302. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de silício planar triplo difuso . Tf(máx.): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PML. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Vebo: 6V. Spec info: velocidade rápida (tf = 100ns tipo). Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
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