Transistores

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Corrente do coletor: 5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Spec info: Rbe 50 Ohms

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: M46/J. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 1500V/600V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 6A. Dissipação máxima Ptot [W]: 80W. Marcação do fabricante: silício. Frequência de corte ft [MHz]: 80W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): NPN. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Corrente do coletor: 6A. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Corrente do coletor: 7A. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: M31/J. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 1.5 kV. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 3A. Dissipação máxima Ptot [W]: 50W. Marcação do fabricante: silício. Frequência de corte ft [MHz]: NPN

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Corrente do coletor: 4A. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1500V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Corrente do coletor: 4A. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1500V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Corrente do coletor: 3A. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: M31/J. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 1500V/600V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 5A. Dissipação máxima Ptot [W]: 50W. Marcação do fabricante: silício. Frequência de corte ft [MHz]: NPN. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): 600V

RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor Darlington NPN . Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: M37/J. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 6A. Dissipação máxima Ptot [W]: 60W

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Corrente do coletor: 1A. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: (F). Corrente do coletor: 6A. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1500V. Spec info: isolado

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: CTV-HA (isolado). Corrente do coletor: 6A. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-93. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Corrente do coletor: 7A. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: CTV-HA (isolado). Corrente do coletor: 10A. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Corrente do coletor: 3.5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Corrente do coletor: 6A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Corrente do coletor: 2A. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 2 MHz. Ganho máximo de hFE: 15. Ganho mínimo de hFE: 4. Corrente do coletor: 5A. Ic(pulso): 17A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 1us. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1500V. Vebo: 6V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: NF/SL. Corrente do coletor: 0.1A. Nota: hFE 100...200. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Spec info: 2SD1609-C

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Ganho máximo de hFE: 280. Ganho mínimo de hFE: 140. Corrente do coletor: 2A. Ic(pulso): 4A. Nota: transistor complementar (par) 2SB1123S. Marcação na caixa: DF. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Transistor de Silício Planar Epitaxial . Tf(máx.): 30 ns. Tf(min): 30 ns. Carcaça: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-89. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Vebo: 6V. Função: Comutação de alta corrente, tensão de baixa saturação . Spec info: serigrafia/código SMD DF . BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Corrente do coletor: 2A. Nota: hFE 200...400. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Função: Comutação de alta corrente, tensão de baixa saturação . Spec info: serigrafia/código SMD DF, transistor complementar (par) 2SB1123T. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Ganho máximo de hFE: 280. Ganho mínimo de hFE: 140. Corrente do coletor: 3A. Ic(pulso): 6A. Marcação na caixa: DG. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Transistores de silício planares epitaxiais . Tf(máx.): 35 ns. Tf(min): 35 ns. Carcaça: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-89. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.35V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Vebo: 6V. Função: Comutação de alta corrente, tensão de baixa saturação . Spec info: serigrafia/código SMD DG

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 120 MHz. Função: alta corrente DC, drivers de relé, drivers de lâmpada. Ganho máximo de hFE: 4000. Ganho mínimo de hFE: 3000. Corrente do coletor: 1.5A. Ic(pulso): 3A. Marcação na caixa: DI. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.5W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-89. Habitação (conforme ficha técnica): SANYO PCP. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.9V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Vebo: 10V. Spec info: serigrafia/código SMD DI, transistor complementar (par) 2SB1126. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 120 MHz. Corrente do coletor: 2A. Nota: hFE 3000...4000. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.5W. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Função: Alta corrente DC, drivers de relé, controle de regulação de tensão. Spec info: serigrafia/código SMD DJ