2SD1624S

2SD1624S. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Ganho máximo de hFE: 280. Ganho mínimo de hFE: 140. Corrente do coletor: 3A. Ic(pulso): 6A. Marcação na caixa: DG. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Transistores de silício planares epitaxiais . Tf(máx.): 35 ns. Tf(min): 35 ns. Carcaça: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-89. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.35V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Vebo: 6V. Função: Comutação de alta corrente, tensão de baixa saturação . Spec info: serigrafia/código SMD DG. Quantidade em estoque atualizada em 14/01/2025, 10:25.