2SD1623S

2SD1623S. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Ganho máximo de hFE: 280. Ganho mínimo de hFE: 140. Corrente do coletor: 2A. Ic(pulso): 4A. Nota: transistor complementar (par) 2SB1123S. Marcação na caixa: DF. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Transistor de Silício Planar Epitaxial . Tf(máx.): 30 ns. Tf(min): 30 ns. Carcaça: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-89. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Vebo: 6V. Função: Comutação de alta corrente, tensão de baixa saturação . Spec info: serigrafia/código SMD DF . BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 14/01/2025, 10:25.