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2SD1996R

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Conjunto de 1

2SD1996R. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Função: Io-sat DC/DC. Ganho máximo de hFE: 350. Ganho mínimo de hFE: 200. Corrente do coletor: 0.5A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.6W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 25V. Quantidade em estoque atualizada em 14/01/2025, 23:25.

Documentação técnica