2SD1804

2SD1804. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 180 MHz. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 35. Corrente do coletor: 8A. Ic(pulso): 12A. Número de terminais: 2. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Transistores de silício planares epitaxiais . Tf(máx.): 20 ns. Tf(min): 20 ns. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Vebo: 6V. Função: Comutação de alta corrente, tensão de baixa saturação . Spec info: transistor complementar (par) 2SB1204. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 05:25.