2SD1669

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2SD1669. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Função: circuitos de comutação . Ganho máximo de hFE: 280. Ganho mínimo de hFE: 70. Corrente do coletor: 12A. Id(im): 15A. Nota: transistor complementar (par) 2SB1136. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220ML. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Vebo: 6V. Quantidade em estoque atualizada em 10/01/2025, 18:25.

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