Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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2SD863

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2SD863. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Corrente do coletor: 1A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.9W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Spec info: transistor complementar (par) 2SB764. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 10:25.

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2SD1207
Custo): 12pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 200. Corrente do coletor: 2A. Ic(pulso): 4A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Darlington de Silício Planar Epitaxial . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.15V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementar (par) 2SB892. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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