Transistores

C (pol.): 1300pF. Custo): 180pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: High Speed, tr--25nS tf--20nS. Id(im): 27A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 300uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. On-resistência Rds On: 1.1 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 100 ns. Td(ligado): 40 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo MOS II.5. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Temperatura operacional: -...+150°C. Tensão Vds(máx.): 900V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 3.5V. Vgs(th) mín.: 1.5V

Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Conversor de tensão DC-DC. DI (T=100°C): 3.2A. DI (T=25°C): 5.5A. Idss (máx.): 5.5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. On-resistência Rds On: 1.2 Ohms. Tecnologia: V-MOS. Tensão Vds(máx.): 400V

RoHS: NINCS. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: K1393. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 250V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ 5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 150 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 200 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 675pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 50W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. DI (T=100°C): 2.5A. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 5A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. On-resistência Rds On: 1.5 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 600V

Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. DI (T=100°C): 2A. DI (T=25°C): 3.6A. Idss (máx.): 3.6A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. On-resistência Rds On: 3.6 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: V-MOS. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 900V

C (pol.): 700pF. Custo): 300pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Id(im): 10A. DI (T=100°C): 2A. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 1mA. Marcação na caixa: K1461. Pd (dissipação de energia, máx.): 120W. On-resistência Rds On: 2.8 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 200 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: V-MOS, S-L. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3BP. Temperatura operacional: -...+150°C. Tensão Vds(máx.): 900V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 2V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 3V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: 21F1B. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2SK1489. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 12A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1 Ohms @ 6A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 140 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 500 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 2000pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 200W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

C (pol.): 1200pF. Custo): 150pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 500 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 27A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 500uA. IDss (min): 10uA. Marcação na caixa: K1507. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. On-resistência Rds On: 0.85 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 160 ns. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: F-II Series POWER MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 2.5V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 700pF. Custo): 150pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Aplicação de amplificador de alta potência. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 1mA. Marcação na caixa: K1529. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 120W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo MOS de canal N de silício de efeito de campo. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): 2-16C1B. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 180V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 2.8V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 0.8V. Spec info: transistor complementar (par) 2SJ200. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Proteção GS: NINCS

Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Power MOSFET. DI (T=100°C): 4A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 8A. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. On-resistência Rds On: 1 Ohm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: FAP-IIA Series. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 600V

C (pol.): 690pF. Custo): 120pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 1450 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: alta velocidade. Id(im): 15A. DI (T=100°C): 3A. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 300uA. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. On-resistência Rds On: 1.9 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 210 ns. Td(ligado): 70 ns. Tecnologia: V-MOS. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Tensão Vds(máx.): 900V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 3.5V. Vgs(th) mín.: 1.5V. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 400pF. Custo): 55pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Ultrahigh-Speed Switching. Id(im): 8A. DI (T=100°C): 1A. DI (T=25°C): 2A. Idss (máx.): 1mA. Marcação na caixa: K2043. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. On-resistência Rds On: 3.2 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 65 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: transistor MOSFET de silício. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FI. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 4 v. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 4pF. Custo): 4pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: FET. Função: Aplicativos de sintonizador FM. DI (T=25°C): 20mA. Idss (máx.): 12mA. IDss (min): 0.6mA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200mW. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Temperatura operacional: -55...+125°C. Tensão Vds(máx.): 20V. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 2.5V. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 730pF. Custo): 90pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: High-speed switching--tf = 50ns. Id(im): 6A. DI (T=100°C): 2A. DI (T=25°C): 3A. Idss (máx.): 0.1mA. Marcação na caixa: K2129. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. On-resistência Rds On: 3.2 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 160 ns. Td(ligado): 35 ns. Tecnologia: Power F-MOS FET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Proteção GS: NINCS

Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 8A. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. On-resistência Rds On: 0.4 Ohms. Tecnologia: V-MOS. Tensão Vds(máx.): 200V

Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: circuitos de comutação . Id(im): 24A. DI (T=100°C): 3A. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 6A. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. On-resistência Rds On: 0.8 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: transistor MOSFET . Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 600V

Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. DI (T=100°C): 4.5A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 9A. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. On-resistência Rds On: 0.35 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: V-MOS-L. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 200V

Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: High speed switching, td(on)--25nS, dt(off)--50nS. Id(im): 8A. DI (T=25°C): 2A. Idss (máx.): 2A. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. On-resistência Rds On: 1.2 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: FAP-IIA Series. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 250V

Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: High speed switching, td(on)--25nS, dt(off)--50nS. Id(im): 8A. DI (T=25°C): 2A. Idss (máx.): 2A. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. On-resistência Rds On: 1.2 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: FAP-IIA Series. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 250V

C (pol.): 1100pF. Custo): 180pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 155 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Eletrônica automotiva. Id(im): 108A. DI (T=25°C): 27A. Idss (máx.): 100uA. Marcação na caixa: K2314. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. On-resistência Rds On: 0.09 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 140us. Td(ligado): 30us. Tecnologia: Transistor de efeito de campo de potência. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 0.8V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: ESD Protected--2000V min. Proteção GS: sim

Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. DI (T=100°C): 3A. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 6A. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. On-resistência Rds On: 2 Ohms. Tecnologia: V-MOS (F). Tensão Vds(máx.): 700V. Nota: 70/160ns. Quantidade por caixa: 1

Custo): 700pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 500 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 100A. DI (T=25°C): 25A. Idss (máx.): 100uA. Marcação na caixa: K2372. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 160W. On-resistência Rds On: 0.23 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 160 ns. Td(ligado): 40 ns. Tecnologia: transistor MOSFET . Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 2.5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 30. C (pol.): 3600pF. Função: Chopper Regulator, DC-DC Converter. Proteção GS: NINCS

Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Id(im): 30A. DI (T=25°C): 7.5A. Idss (máx.): 7.5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. On-resistência Rds On: 0.42 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de efeito de campo. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 250V. Quantidade por caixa: 1

Tipo de canal: N. DI (T=25°C): 3mA. Idss (máx.): 14mA. IDss (min): 6mA. Marcação na caixa: K246BL. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão porta/fonte Vgs: -30V. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 6V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 0.7V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: transistor complementar (par) 2SJ103

C (pol.): 900pF. Custo): 130pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 650 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Aplicações de comutação de alta tensão . Id(im): 12A. DI (T=25°C): 3A. Idss (máx.): 100uA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. On-resistência Rds On: 3.2 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 63 ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: transistor MOSFET . Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 900V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 3.5V. Vgs(th) mín.: 2.5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS