Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

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2SK2039. C (pol.): 690pF. Custo): 120pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 1450 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: alta velocidade. Id(im): 15A. DI (T=100°C): 3A. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 300uA. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. On-resistência Rds On: 1.9 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 210 ns. Td(ligado): 70 ns. Tecnologia: V-MOS. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Tensão Vds(máx.): 900V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 3.5V. Vgs(th) mín.: 1.5V. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 22/01/2025, 23:25.

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