Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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2SK2129

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2SK2129. C (pol.): 730pF. Custo): 90pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: High-speed switching--tf = 50ns. Id(im): 6A. DI (T=100°C): 2A. DI (T=25°C): 3A. Idss (máx.): 0.1mA. Marcação na caixa: K2129. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. On-resistência Rds On: 3.2 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 160 ns. Td(ligado): 35 ns. Tecnologia: Power F-MOS FET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 13:25.

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