Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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2SK2043

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2SK2043. C (pol.): 400pF. Custo): 55pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Ultrahigh-Speed Switching. Id(im): 8A. DI (T=100°C): 1A. DI (T=25°C): 2A. Idss (máx.): 1mA. Marcação na caixa: K2043. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. On-resistência Rds On: 3.2 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 65 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: transistor MOSFET de silício. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FI. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 4 v. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 13:25.

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C (pol.): 750pF. Custo): 90pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 1200 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Power MOSFET SMPS. Id(im): 16A. DI (T=100°C): 2.5A. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 20uA. IDss (min): 2uA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. On-resistência Rds On: 2.1 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 100 ns. Td(ligado): 10 ns. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 2.1V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Proteção GS: NINCS
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