Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Semicondutores Transistores FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, 2.5A, 4A, 20uA, 2.1 Ohms, TO-220, TO-220, 600V - BUK455-600B

Transistor de canal N, 2.5A, 4A, 20uA, 2.1 Ohms, TO-220, TO-220, 600V - BUK455-600B
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Transistor de canal N, 2.5A, 4A, 20uA, 2.1 Ohms, TO-220, TO-220, 600V - BUK455-600B. Transistor de canal N, 2.5A, 4A, 20uA, 2.1 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. DI (T=100°C): 2.5A. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 20uA. On-resistência Rds On: 2.1 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 750pF. Custo): 90pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 1200 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Power MOSFET SMPS. Proteção GS: NINCS. Id(im): 16A. IDss (min): 2uA. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 100 ns. Td(ligado): 10 ns. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 2.1V. Produto original do fabricante Philips Semiconductors. Quantidade em estoque atualizada em 08/06/2025, 14:25.

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Transistor de canal N, 6A, 300uA, 0.95 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 300uA. On-resistência Rds On: 0.95 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 1400pF. Custo): 250pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 460 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Proteção GS: NINCS. Id(im): 24A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 8.5 ns. Td(ligado): 4 ns. Tecnologia: V-MOS. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V
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Transistor de canal N, 6A, 300uA, 0.95 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 300uA. On-resistência Rds On: 0.95 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 1400pF. Custo): 250pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 460 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Proteção GS: NINCS. Id(im): 24A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 8.5 ns. Td(ligado): 4 ns. Tecnologia: V-MOS. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V
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