2SK1461

2SK1461. C (pol.): 700pF. Custo): 300pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Id(im): 10A. DI (T=100°C): 2A. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 1mA. Marcação na caixa: K1461. Pd (dissipação de energia, máx.): 120W. On-resistência Rds On: 2.8 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 200 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: V-MOS, S-L. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3BP. Temperatura operacional: -...+150°C. Tensão Vds(máx.): 900V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 2V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 3V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 13:25.