Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 16.66€ | 20.49€ |
2 - 2 | 15.83€ | 19.47€ |
3 - 4 | 15.00€ | 18.45€ |
5 - 9 | 14.16€ | 17.42€ |
Quantidade | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 16.66€ | 20.49€ |
2 - 2 | 15.83€ | 19.47€ |
3 - 4 | 15.00€ | 18.45€ |
5 - 9 | 14.16€ | 17.42€ |
2SK1271. C (pol.): 1800pF. Custo): 500pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 1400 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta tensão . Id(im): 10A. DI (T=100°C): 3A. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 100uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 240W. On-resistência Rds On: 4 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 220 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: transistor MOSFET . Carcaça: TO-3PN 13-16A1A. Temperatura operacional: -...+150°C. Tensão Vds(máx.): 1400V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 3.5V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 1.5V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Diodo de germânio: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 07:25.
Informações e ajuda técnica
Pagamento e entrega
Entrega em 2 a 3 dias, com rastreamento postal!
Todos os direitos reservados, RPtronics, 2024.