2SJ119

2SJ119. RoHS: NINCS. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3P. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: J119. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -160V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -8A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -4A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 20 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 90 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1050pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 100W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 10:25.