Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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2SK1118-PMC

2SK1118-PMC
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2SK1118-PMC. C (pol.): 1400pF. Custo): 250pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 460 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Id(im): 24A. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 300uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. On-resistência Rds On: 0.95 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 85 ns. Td(ligado): 40 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Spec info: Low Leakage Current Low Drain Source ON resistance. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 10:25.

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C (pol.): 1300pF. Custo): 130pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 1000 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Id(im): 24A. DI (T=100°C): 3A. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 100uA. Marcação na caixa: K2545. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. On-resistência Rds On: 0.9 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 150 ns. Td(ligado): 45 ns. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: sim
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C (pol.): 900pF. Custo): 150pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 550 ns. Tipo de transistor: MOS...
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C (pol.): 900pF. Custo): 150pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 550 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 32A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 100nA. IDss (min): 10nA. Marcação na caixa: K2645. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. On-resistência Rds On: 1.2 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 60 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: FAP-IIS Series MOS-FET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F15. Temperatura operacional: -...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3.5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS
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C (pol.): 1200pF. Custo): 150pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 500 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 27A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 500uA. IDss (min): 10uA. Marcação na caixa: K1507. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. On-resistência Rds On: 0.85 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 160 ns. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: F-II Series POWER MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 2.5V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS
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C (pol.): 1200pF. Custo): 150pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 500 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 27A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 500uA. IDss (min): 10uA. Marcação na caixa: K1507. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. On-resistência Rds On: 0.85 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 160 ns. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: F-II Series POWER MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 2.5V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS
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