2SJ598

2SJ598. C (pol.): 720pF. Custo): 150pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: diodo de proteção integrado. Id(im): 30A. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 12A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 23W. On-resistência Rds On: 0.13 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 35 ns. Td(ligado): 7 ns. Carcaça: TO-251 ( I-Pak ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-251 ( I-Pak ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tecnologia: Transistor de efeito de campo MOS de canal P. Proteção GS: sim. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 10:25.