2SK1213

2SK1213. C (pol.): 1400pF. Custo): 250pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 460 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Id(im): 24A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 300uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. On-resistência Rds On: 0.95 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 85 ns. Td(ligado): 40 ns. Tecnologia: V-MOS-L. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1.5V. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 10:25.