2SJ512

2SJ512. C (pol.): 800pF. Custo): 250pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 205 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Modo de aprimoramento com baixa fonte de drenagem na resistência . Id(im): 20A. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 5A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. On-resistência Rds On: 1 Ohm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 70 ns. Td(ligado): 35 ns. Tecnologia: Silicon P Chanel Mos Fet. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 250V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Proteção GS: sim. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 11:25.