2SJ584

2SJ584. C (pol.): 450pF. Custo): 120pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Ultrahigh-Speed Switching, IDP 18App/10us. Id(im): 18A. DI (T=25°C): 4.5A. Idss (máx.): 100uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. On-resistência Rds On: 0.95 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 52 ns. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: transistor MOSFET de silício. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 250V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Proteção GS: sim. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 10:25.