2SD965

2SD965. Custo): 50pF. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Função: Amplificador de saída AF. Ganho máximo de hFE: 600. Ganho mínimo de hFE: 340. Corrente do coletor: 5A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.75W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.35V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 20V. Vebo: 7V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 12:25.