2SK1217

2SK1217. C (pol.): 1400pF. Custo): 200pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 1000 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Low Driving Power High Speed Switching. Id(im): 23A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 500uA. IDss (min): 10uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. On-resistência Rds On: 1.5 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 300 ns. Td(ligado): 50 ns. Tecnologia: V-MOS. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 900V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 2.5V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 10:25.