2SK2761

2SK2761. C (pol.): 1100pF. Custo): 170pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 500 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 36A. DI (T=100°C): 5.5A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 500uA. IDss (min): 10uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. On-resistência Rds On: 1 Ohm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 75 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: V-MOS. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3.5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 14:25.