2SK2640
| Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 8.97€ | 11.03€ |
| 2 - 2 | 8.52€ | 10.48€ |
| 3 - 4 | 8.07€ | 9.93€ |
| 5 - 9 | 7.62€ | 9.37€ |
| 10 - 19 | 7.44€ | 9.15€ |
| 20 - 29 | 7.26€ | 8.93€ |
| 30+ | 6.99€ | 8.60€ |
| Quantidade | U.P | |
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| 1 - 1 | 8.97€ | 11.03€ |
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2SK2640. C (pol.): 950pF. Custo): 180pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 450 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 40A. DI (T=100°C): 10A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 200uA. IDss (min): 10uA. Marcação na caixa: K2640. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. On-resistência Rds On: 0.73 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 70 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: FAP-IIS Series MOS-FET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F15. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3.5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 14:25.
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C (pol.): 850pF. Custo): 44pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Diodo Trr (mín.): 130 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(im): 40A. DI (T=100°C): 6.3A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 11NM60ND. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. On-resistência Rds On: 0.37 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 50 ns. Td(ligado): 16 ns. Tecnologia: MDmesh II POWER MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS
C (pol.): 850pF. Custo): 44pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Diodo Trr (mín.): 130 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(im): 40A. DI (T=100°C): 6.3A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 11NM60ND. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. On-resistência Rds On: 0.37 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 50 ns. Td(ligado): 16 ns. Tecnologia: MDmesh II POWER MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS
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