Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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MBR10150CT

MBR10150CT
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MBR10150CT. Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC-3P. VRRM: 150V. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador de barreira dupla Schottky. RM (máx.): 0.008mA. RM (min): 8uA. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.88V. Tensão direta Vf (min): 0.78V. Produto original do fabricante Taiwan Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 08/06/2025, 12:25.

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Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC-3P. VRRM: 200V. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador de barreira dupla Schottky. RM (máx.): 0.2mA. RM (min): 0.2mA. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.99V. Tensão direta Vf (min): 0.87V
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