Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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MBR10100CT

MBR10100CT
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MBR10100CT. Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC-3P. VRRM: 100V. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Material semicondutor: Sb. RM (máx.): 0.008mA. RM (min): 8uA. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.88V. Tensão direta Vf (min): 0.78V. Função: Diodo retificador de barreira dupla Schottky. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms). Quantidade em estoque atualizada em 21/04/2025, 01:25.

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Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC-3P. VRRM: 200V. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Material semicondutor: Sb. RM (máx.): 0.2mA. RM (min): 0.2mA. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.99V. Tensão direta Vf (min): 0.87V. Função: Diodo retificador de barreira dupla Schottky. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms)
MBR10200CT
Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC-3P. VRRM: 200V. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Material semicondutor: Sb. RM (máx.): 0.2mA. RM (min): 0.2mA. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.99V. Tensão direta Vf (min): 0.87V. Função: Diodo retificador de barreira dupla Schottky. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms)
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MBR20100CT-C0

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MBR20100CT-C0
Corrente direta (AV): 20A. IFSM: 150A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. VRRM: 100V. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador Schottky. Marcação na caixa: B20100G. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.95V. Tensão direta Vf (min): 0.75V. Spec info: Ifsm 150App/60Hz
MBR20100CT-C0
Corrente direta (AV): 20A. IFSM: 150A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. VRRM: 100V. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador Schottky. Marcação na caixa: B20100G. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.95V. Tensão direta Vf (min): 0.75V. Spec info: Ifsm 150App/60Hz
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Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC-3P. VRRM: 150V. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Material semicondutor: Sb. RM (máx.): 0.008mA. RM (min): 8uA. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.88V. Tensão direta Vf (min): 0.78V. Função: Diodo retificador de barreira dupla Schottky. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms)
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Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC-3P. VRRM: 150V. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Material semicondutor: Sb. RM (máx.): 0.008mA. RM (min): 8uA. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.88V. Tensão direta Vf (min): 0.78V. Função: Diodo retificador de barreira dupla Schottky. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms)
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